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p; 首先是技术层面。WSE-3采用台积电N5工艺,晶圆面积的一半用于搭载SRAM内存,另一半布局计算核心。该设计的关键是计算和存储都留在同一片硅上,尽量避免数据离开芯片、离开封装。但一块WSE-3芯片只配备了44GB的SRAM内存,与之相比,英伟达B200芯片则配备了192GB的内存。大模型的上下文长度完全被内存容量所限制。
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发布时间:10:15:46
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