
件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。罗姆表示,在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中,其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积,提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。罗姆计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品
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发布时间:07:59:30