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米级别,生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。在晶体管性能方面,单层氮化钨硅不仅空穴迁移率高、开态电流密度大,强度高、散热好,化学性质也很稳定,综合性能在同类二维材料中表现突出。 该研究结果表明,单层氮化钨硅在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔的应用前景,有望为后摩尔芯片技术开辟新的途径。(文章来源:科技日报)
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发布时间:06:39:10
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