nbsp;文章内容举报
其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩认为，HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量虽小，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。 2025年2月，闪迪首次提出HBF概念，并将其定位为结合3D NAND容量和HBM带宽的创新产品。而在近期，闪迪与SK海力士联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”
当前文章：http://yet7m.fenshuqi.cn/iavv/a4s.html
发布时间：09:46:50
