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砸2600亿！武汉存储扩产计划曝光：长江存储产能翻番 剑指全球第三_蜘蛛资讯网

重大项目规划，380亿美元（约合人民币2600亿元）存储半导体扩产计划宣告落地。     扩产以长江存储与武汉新芯为双核心，主攻3D NAND与DRAM两大方向。长江存储三期厂房已进入设备调试阶段，预计2026年底投入量产，2027年达成月产能5万片的阶段性目标。     长江存储三座新厂全面达产后，总产能较现有水平提

据显示，单台AI服务器对DRAM的需求是传统服务器的8倍，对NAND Flash的需求是3倍。     高盛预测2026年全球DRAM供需缺口将达4.9%，为15年来最严重。而原厂产能爬升需要12至18个月，供需缺口短期内难以填平。     存储芯片价格在AI需求的持续拉动下大幅上涨，产业链企业的业绩同步兑现。其中佰维

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发布时间：02:24:56