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砸2600亿！武汉存储扩产计划曝光：长江存储产能翻番 剑指全球第三_蜘蛛资讯网

布2026年重大项目规划，380亿美元（约合人民币2600亿元）存储半导体扩产计划宣告落地。     扩产以长江存储与武汉新芯为双核心，主攻3D NAND与DRAM两大方向。长江存储三期厂房已进入设备调试阶段，预计2026年底投入量产，2027年达成月产能5万片的阶段性目标。     长江存储三座新厂全面达产后，总产能

sp;  长江存储三座新厂全面达产后，总产能较现有水平提升超过100%，出货量有望超越SK海力士和美光，剑指全球NAND闪存第三席位，仅次于三星和铠侠。     武汉新芯同步推进三期扩产，总投资280亿元。武汉新芯深耕NOR Flash特色工艺，是国内规模最大的NOR Flash芯片制造厂商，目前拥有两座12英寸晶圆厂，每座月产能超3万片

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发布时间：05:28:20